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NTTフォトニクス研 | 論文
- 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 共鳴トンネルダイオードによるサブテラヘルツ : テラヘルツ発振器
- InAlPをキャリア供給層に用いたHEMT構造の成長
- InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
- 直接接合QPM-LN導波路を用いた高効率波長変換(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- HEMTにおける光応答特性
- HEMTにおける光応答特性
- CS-9-3 高速動作n-p-i-n構造InPマッハツェンダ光変調器(CS-9.大容量・高機能光通信時代を拓く集積光デバイス,シンポジウムセッション)
- ハイブリッド集積波長変換素子を用いた光信号処理 : ビットレートフリー偏波モード分散補償技術
- ハイブリッド集積波長変換素子を用いた光信号処理 : ビットレートフリー偏波モード分散補償技術
- IPFキャリア実装による10Gbit/s高速EA変調器4ch.アレイ素子
- C-3-38 IPFキャリア実装による10Gbit/s高速EA変調器4ch. アレイ素子
- 高速InP HBTにおけるエミッタ電極の長期通電での劣化現象と高耐熱金属導入による高信頼化(電子デバイスの信頼性,信頼性一般)
- 応用物理学会 有機分子・バイオエレクトロニクス分科会 (M&BE) および有機エレクトロニクス材料研究会 (JOEM) 共催研究会「デンドリマー固有の機能とは?」報告
- 分光
- テルライト系ガラスの三次非線形光学特性
- テルライト系ガラスの三次非線形光学特性
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