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NTTフォトニクス研 | 論文
- 結晶成長技術
- GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-16 EA変調器集積DFBレーザーの劣化姿態と長期安定動作
- CS-6-4 石英系PLC-LNハイブリッド多値変調器(CS-6.コヒーレント通信用光デバイスの進展,シンポジウムセッション)
- 直接接合QPM-LN導波路を用いた高効率波長変換(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- C-4-26 40G/100Gイーサネット用リッジ構造MQW半導体レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-2-26 高耐圧InP HEMTによる125GHz,140mW出力ミリ波パワーアンプ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-3-32 テルライトガラスを用いた高非線形性ホーリファイバ
- テルライトガラスを用いた高非線形性ホーリファイバの設計(次世代光ファイバ,機能性光ファイバ,フォトニック結晶ファイバ,光計測,光伝搬,光信号処理,一般)
- テルライトガラスを用いた高非線形性ホーリファイバの設計(次世代光ファイバ,機能性光ファイバ,フォトニック結晶ファイバ,光計測,光伝搬,光信号処理,一般)
- 半導体光増幅器を用いた信号光のチャープ制御
- 高速サブミクロンInP HBTのエミッタ・ベース接合の信頼性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(ASAD2010))
- 高速サブミクロンInP HBTのエミッタ・ベース接合の信頼性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(ASAD2010))
- C-4-19 電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比注入光強度依存性の解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 全C帯40Gbit/s DPSK変調動作SOA集積npinマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
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- 10Gbit/s動作SOA集積型n-p-i-n構造InPマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
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