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NECシリコンシステム研究所 | 論文
- HDTV用200万画素FIT-OODイメージセンサ : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- C-11-2 垂直電界に関するバルクMOSFETとSOI-MOSFETの比較
- 素子微細化が真性半導体ボディSOI-MOSFETのI_向上効果に与える影響
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- 真性チャネルSOI-MOSFETのV_ばらつきに対する電界の二次元効果の影響
- ストライプトゲート真性半導体チャネルSOI-MOSFETのしきい値制御に関するシミュレーション
- 基板電圧印加時の信頼性を考慮した65nmCMOSFETのパワーマネージメント(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
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- 動的再構成プロセッサDRPを用いた関数オフローダの試作(FPGAとその応用及び一般)
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- 正負対称丸め積和演算器
- HF(NEt_2)_4を原料ガスとして用いたHfO_2薄膜の堆積
- 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線(配線・実装技術と関連材料技術)
- 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
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- 並列接続MOSFETを用いたしきい値電圧標準偏差の測定評価
- マルチメディア応用システムLSI
- 動的な部分再構成デバイスを用いた仮想ハードウェアシステム
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- やわらかいハードウェア : デバイス,アーキテクチャ,設計技術,応用研究の展開
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