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Corning Incorporated | 論文
- CLEO/QELS'99報告
- OPE2000-35 / LQE2000-29 GaInNAs/GaAs量子井戸レーザの高温レーザ発振特性
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- (311)B基板上に形成したInGaAs/GaAs面発光レーザにおける高速変調時の偏波特性
- 小さな波長温度係数を有するマイクロマシン面発光レーザ及び共振型フォトディテクタ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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- 可飽和吸収体を有する垂直微小共振器構造を用いた光非線形位相補償デバイス(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
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- SC-2-6 多波長面発光レーザアレイ
- C-4-1 単一高次横モード面発光レーザの遠視野制御
- MOCVD成長1.3um帯GaInNAs面発光レーザ
- (311)B基板上GaInAs/GaAs完全単一モード面発光レーザアレー
- AlAs選択酸化膜形成技術
- 微小共振器面発光レーザによる近接場光生成
- マイクロマシーン技術を用いた温度無依存面型光フィルタ
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
- マイクロマシーニングによる波長温度無依存Add/Dropフィルタ/面発光レーザの可能性
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