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Center For Microelectrortic Systems Kyushu Institute Of Technology | 論文
- C-12-5 SiPの実装条件が高速インターフェイスの伝送特性に及ぼす影響(C-12.集積回路A(設計・テスト・実装技術),エレクトロニクス2)
- インクジェット法による高精度配列電子源アレイの作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 一軸応力下におけるSOI MOSFETの基板浮遊効果(SiP応力解析技術, 先端電子デバイス実装技術と解析・評価技術の最新動向論文)
- 高密度エリアバンプ接続のためのコンプライアントバンプ
- 超音波フリップチップ実装時に発生する歪みの実時間計測 (特集1 超音波フリップチップ実装技術)
- 研究紹介 高速LSI用ひずみSiウエハー技術
- C-12-1 VS-MOSによる自律適応的電力・速度制御型論理システム(C-12.集積回路A(設計・テスト・実装技術),エレクトロニクス2)
- コンプライアントバンプ技術のイメージセンサーへの応用 (シリコン材料・デバイス)
- ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性
- ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性
- ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性
- Variation of Photoluminescence Properties of Stain-Etched Si with Crystallinity of Starting Polycrystalline Si Films
- Effects of Light Exposure during Anodization on Photoluminescence of Porous Si
- Location Control of Si Thin-Film Grain Using Ni Imprint and Excimer Laser Annealing (Special Issue: Active-Matrix Liquid-Crystal Displays--TFT Technologies and Related Materials)
- プラズマ・ゲート酸化が多結晶シリコンTFTの特性に与える効果(Thin Film Devices and Systems, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)
- マイクロ波励起プラズマ酸化による歪みSi/SGOI側壁へのGe濃縮抑制(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- プラズマ・ゲート酸化が多結晶シリコンTFTの特性に与える効果(Thin Film Devices and Systems, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)