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Center For Microelectrortic Systems Kyushu Institute Of Technology | 論文
マイクロ波励起プラズマ酸化による歪みSi/SGOI側壁へのGe濃縮抑制(Group IV Compound Semiconductors, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
リングオシレータによるスペクトル拡散方式
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