スポンサーリンク
Center For Microelectrortic Systems Kyushu Institute Of Technology | 論文
- 円錐バンプとくさびつき対向電極を用いた高密度・常温チップ積層技術の開発
- 先鋭マイクロバンプによる高密度・低温・エリア接続チップ積層技術(不揮発メモリと関連技術及び一般)
- InGaP/InGaAs/GaAsヘテロ構造トランジスタにおける光励起二次元プラズモン不安定性によるテラヘルツ波放出,AWAD2006)
- InGaP/InGaAs/GaAsヘテロ構造トランジスタにおける光励起二次元プラズモン不安定性によるテラヘルツ波放出
- プラズマCVD a-Si膜の金属誘起横方向固相結晶化とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- プラズマCVD a-Si膜の金属誘起横方向固相結晶化とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 形態機能性マイクロ電極の構造解析
- ストライプ型チャネルを持つ多結晶シリコン薄膜トランジスタの特性ばらつきの評価(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 静電型インクジェットによる微細液滴吐出とSiの金属誘起固相誘起結晶化への応用(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- 静電型インクジェットによる微細液滴吐出とSiの金属誘起固相誘起結晶化への応用(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- 静電型インクジェットによる微細液滴吐出とSiの金属誘起固相誘起結晶化への応用(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- 固相とレーザーの組み合わせ結晶化による結晶方位制御の可能性
- InGaP/InGaAs/GaAsヘテロ構造トランジスタにおける光励起二次元プラズモン不安定性によるテラヘルツ波放出
- イオン照射による薄膜の変形現象を利用して作製した電界放出型電子源(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- ダブルパルスレーザ走査法による多結晶Si結晶粒の横方向成長とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- イオン照射による薄膜の変形現象を利用して作製した電界放出型電子源(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- ダブルパルスレーザ走査法による多結晶Si結晶粒の横方向成長とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- イオン照射による薄膜の変形現象を利用して作製した電界放出型電子源(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- ダブルパルスレーザ走査法による多結晶Si結晶粒の横方向成長とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- アクティブマトリクス式バンプ導通検査回路によるコンプライアントバンプの機能検証 (MEMS 2006 第16回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集)
スポンサーリンク