スポンサーリンク
静岡大学 電子工学研究所 | 論文
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Eu合成における粒径制御(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 六方晶BN粉末の紫外発光に対する熱処理の効果(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 加圧焼成によるZnCdO粒子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 化学気相法によるGaN系ナノ構造埋め込み型粒子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- CMOSイメージセンサの暗電流に対する負電圧駆動および光ストレスの効果(携帯電話用カメラ,デジタルスチルカメラ,ビデオカメラ(ハイビジョン)とそのためのイメージセンサ,モジュール)
- 13bシングルエンド型サイクリックADCを用いた高速低ノイズCMOSイメージセンサ(固体撮像技術および一般)
- オンチップ集積化マイクロ磁界プローブの開発(EMC 一般)
- B-4-46 RF集積化マイクロ磁界プローブを用いた伝送線路の近傍磁界計測(B-4.環境電磁工学,一般講演)
- 高感度集積化磁界プローブによる高周波磁気イメージング
- 高感度集積化磁界プローブによる高周波磁気イメージング(イメージセンサのインターフェース回路,アナログ,及び一般)
- 半導体への電界の浸みこみを考慮した櫛歯アクチュエータの特性解析
- Observation of discrete dopant potential and its application to Si single-electron devices
- 車車間・路車間光通信システムへのCMOSイメージセンサ技術の応用と光受信画素回路の特性評価(固体撮像技術および一般)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 二元電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜のレーザアニール過程の解析(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 加圧焼成によるZnCdO粒子の作製(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- nc-Si MOSカソードの電子放射特性(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 埋め込みダイオードによる2段転送を用いた蛍光寿命イメージセンサ(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
スポンサーリンク