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静大電研 | 論文
- 溝付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長層の形成メカニズム
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- 23aB8 InGaAs/GaAsのブリッジ成長機構の検討(エピタキシャル成長II)
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長
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- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(II) : 溶液成長
- 窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長(III)
- 溝付きGaAs基板上へのInGaAsブリッジ成長と評価
- μg環境下におけるInGaSb結晶成長に関する研究 : (1)地上参照実験
- In-Ga-Sb融液の均一分散混合の地上実験 : 融液成長(一般)II
- 微小重力下でのInGaSb結晶成長の数値解析 : 基礎II
- 「高柳記念未来技術創造館」展示物の製作記
- μg及び1g条件下での三元混晶半導体の溶解実験
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- 17aB06 ホットウォールエピタキシー法によるバッファ層上へのInAs_xSb_結晶成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- 25aA06 InGaSb均一組成結晶成長のための成長速度測定(バルク,第34回結晶成長国内会議)
- 25aB07 ホットウォール法によるInAs_xSb_結晶成長(半導体エピ(1),第34回結晶成長国内会議)
- ホットウォール法によるInAsとInAsSb結晶成長