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静大電研 | 論文
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- 先端追跡
- 多値Signed-Digit数演算VLSIアレー(多値論理及びその応用(4))
- 双方向電流モ-ド多値並列乗算器の高性能化 (シリコンLSIの高性能化技術特集) -- (回路技術--回路一般)
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- VSLI向き4進Signed-Digit数多値演算回路の構成
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- 落下塔利用による微小重力環境下における半導体の融解と凝固実験
- 航空機利用による微小重力環境下と地上におけるInGaSb半導体の結晶成長
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- アルカリ.アンチモン層の光電特性 II : 電子放射
- μg下と1g下におけるInSb融液中へのGaSb溶解実験と数値解析 : 溶液成長
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