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阪大産研:CREST-JST | 論文
- 20pXA-4 新規の硝酸法によるSiO_2/Si構造の低温形成(20pXA 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYB-4 硝酸酸化法による低温生成SiO_2膜の微構造(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pYG-2 硝酸酸化法によるAl_2O_3/Al構造の室温形成(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28aYG-11 98%硝酸で形成した低リーク電流を持つ極薄SiO_2/Si構造(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 硝酸溶液を用いたSi表面上へのSiO_2酸化薄膜の低温形成と酸化膜の電気特性評価
- 25pTD-1 硝酸酸化法による低リーク電流を持つ極薄SiO_2/Si(111)超平坦界面構造の創製(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 新規化学結合を用いるシリコン太陽電池
- 硝酸酸化法による低リーク電流を持つ極薄SiO_2/Si構造の創製
- シアン処理によるSi/SiO_2界面の界面準位の消滅とMOSダイオードの高性能化
- シアン処理によるアモルファスシリコン太陽電池の特性向上
- 23aWX-6 気相硝酸酸化法によるSiO_2/SiC構造の低温創製(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aWX-5 気相硝酸酸化法により低温形成したSiO_2/Si構造の物性と電気特性(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pYK-4 ルチル型TiO_2(110)面に吸着した水素に関する第一原理計算(25pYK 領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 硝酸酸化極薄膜とCVD-SiO_2薄膜の積層型ゲート酸化膜を用いた超低消費電力型薄膜トランジスタの創製
- 24aHA-5 物理粉砕法により形成したシリコンナノ粒子の表面観察とpn接合の形成(24aHA 表面ナノ構造量子物性(微粒子・クラスタ),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pHA-2 SiC(0001)表面(Si面)とSiC(000-1)表面(C面)の気相硝酸酸化反応のメカニズムの解明(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
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