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豊橋技術科学大学電気・電子情報工学 | 論文

• 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 生体の視覚情報処理機能に学んだ広ダイナミックレンジを有するエッジ検出回路
• 真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究
• 高窒素組成GaAs_yP_N_xおよびIn_zGa_P_N_xの低温成長と原子状水素照射による結晶性の向上(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 高窒素組成GaAs_yP_N_xおよびIn_zGa_P_N_xの低温成長と原子状水素照射による結晶性の向上(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ナノ粒子ZnOを用いた色素増感太陽電池の作製と評価
• GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
• HVPE法によるNGO基板上のGaN厚膜基板の成長 : 半導体レーザ用GaN基板の開発(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• HVPE法によるNGO基板上のGaN厚膜基板の成長 : 半導体レーザ用GaN基板の開発(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性

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