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立命館大学 理工学部 | 論文
- 蓄積容量変調による広ダイナミックレンジシリコン網膜
- 完全体内埋め込み型生体信号モニタリング装置のための経皮デジタル通信と経皮電力供給システム
- MMOGにおける感情を持ったエージェントの評価(セッション4)
- 2K-3 ハード/ソフト協調学習のためのコンパイラ開発の検討(プロセッサ設計とメモリシステム,学生セッション,アーキテクチャ)
- 高速移動支援用連結セル型マイクロセルラー網のセル構成(移動通信ワークショップ)
- 事例修正による並列プログラミングと並列実行の可視化
- マイクロセル・高速移動・高速転送移動体ハンドオーバ制御方式の一検討
- マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 原位置バイオレメディエーションの効率化のためのエアスパージング後の空気飽和度分布と溶存酸素濃度の評価
- 高速移動高速IP転送実現に向けたポーリング主体のマイクロセル統一網(マイクロセル・ミリ波WPAN,移動通信ワークショップ)
- RF-MBE法によるr面 (10-12) Sapphire 基板上半極性面InNの結晶成長
- マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析
- AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 原子状水素照射によるInNの極性評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE成長したInN薄膜に対する熱酸化処理の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- AlGaN/GaN HFETにおけるGaN層リーク電流とルミネッセンス強度との相関
- 26aB06 RF-MBE法による高In組成InGaN成長におけるInNテンプレートの効果(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
- 高温InNバッファ層導入による高品質InN膜の実現(窒化物半導体結晶)
- RF-MBE法を用いたSi(100)基板上におけるInNの結晶成長(窒化物半導体結晶)
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