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産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門 | 論文
- パラメータ推定による超伝導量子干渉計を用いた定量的非破壊評価計算法 : 第2報, 周波数応等による深さ方向欠陥形状同定 : 機械力学,計測,自動制御
- 425 超伝導量子干渉計を用いた電磁場解析による定量的非破壊評価に関する計算手法
- 正則化逆解析法による高温超伝導量子干渉素子を用いた導体欠陥の位置・形状同定(第8回MAGDAコンファレンス)
- フレックス・パスゲートSRAMによる雑音余裕向上
- CaAs基板上MnSb超薄膜の磁気光学効果
- MnSb超薄膜のGaAs基板上MBE成長
- 新結晶・新物質 2-4族希薄磁性半導体Zn1-xCrxTeにおける室温強磁性と巨大磁気抵抗効果
- 超高真空マクスウエル応力顕微鏡によるエミッタ材料の評価
- 23aPS-57 LaFeAsO系におけるYまたはH置換効果 : ^Fe & ^As-NMR(23aPS 領域8ポスターセッション(低温I(鉄系超伝導,銅酸化物など)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 3.四端子FinFETデバイス技術 : 課題と対策及び展望(32nm世代VLSIを担うMore Moore技術-三次元ゲートMOSFET-)
- 組成変調したTiN-Ti多層薄膜の構造と硬さおよび内部応力
- 組成傾斜構造とAr圧がZrN/Zr/ZrO_2とZrN/ZrO_2膜の硬さ及び付着力に与える影響
- 30a-PS-13 3d遷移金属/Pt, Au多層膜における垂直磁気異方性の温度変化
- メモリ機能を有するシリコンTFTで制御されたフィールドエミッタアレイ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- メモリ機能を有するシリコンTFTで制御されたフィールドエミッタアレイ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- FEA制御のためのポリシリコンTFTの構造最適化(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ポリシリコンTFT一体型HfC被覆フィールドエミッタアレイ(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 超伝導スピン偏極接合の基礎特性(材料・一般)
- 真空マイクロエレクトロニクスの現状
- 30a-PS-24 FePt合金、規則および不規則相の1.6から10eVにおける磁気光学効果