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松下電子工業(株) 電子総合研究所 | 論文
- 0.2μmゲートMODFETによるフリップチップ実装GaAsスイッチIC
- 強誘電体薄膜作製技術とデバイス応用
- 3V駆動でアクセス時間100nsの256Kb強誘電体不揮発性メモリ
- 2-9 2/3インチ130万画素FIT-CCD撮像素子
- 自己整合プロセスを用いた単一電源動作パワーHFET
- 2V/100ns 1T/1C強誘電体メモリアーキテクチャー
- 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
- STOキャパシタを内蔵した0.5〜5.3GHz広帯域アンプMMICの試作
- WSiサイドウォールゲートを用いた新しいサブクォータミクロンGaAs MESFETプロセス
- C-10-3 GSM用高出力DPDTスイッチIC
- HDTVカメラ用1258(H)×1035(V)画素FIT-CCD撮像素子
- 11)130万画素FIT CCD撮像素子(〔テレビジョン方式・回路研究会 テレビジョン電子装置研究会〕合同)
- 130万画素FIT CCD撮像素子
- 0.2μmゲートMODFETによるフリップチップ実装GaAsスイッチIC
- C-10-7 SiCl_4/SF_6/N_2ガスを用いた2ステップGaAs/AlGaAs選択ドライエッチング
- ノーマリオフ型セルフアライメント構造PJ-HFET
- SiCl_4/SF_6/N_2ガスを用いた2ステップGaAs/AlGaAs選択ドライエッチング
- 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
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