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松下電器産業株式会社半導体研究センター | 論文
- 光硬化性樹脂を用いたソルダレス接続方式による薄膜磁気ヘッド実装技術
- 誘電体メタマテリアルを用いた偏波依存型漏れ波アンテナ
- PdSiゲートAlGaN/GaN HEMTの特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- リーフセル合成のための一配線手法(電子システムの設計技術と設計自動化)
- リーフセル用配線システム
- リーフセル用配線システム
- シｰ･オブ･セルズ型レイアウト･アｰキテクチャの提案 : 最適なセル列高さに合わせたリｰフ･セル再合成
- アナログ回路設計に適したCMOSデバイス特性の表現法 : 動作電流によるアナログ特性の記述と応用を中心として ( アナログ・アナデジLSIおよび一般)
- 4-6 高解像a-Si TFT LCDを用いたリア方式投写型TV
- 高密度a-SiTFTLCDを用いた液晶投写型テレビ
- MES 2001報告 : 第11回マイクロエレクトロニクスシンポジウム
- 高速インターフェイス用低消費電力同相電位発生回路の提案
- 低電圧動作高速シリアルインタフェース用ドライバ回路
- ED積を用いたGate-Over-diving CMOS Architectureの評価
- 低温スパッタリング法による高誘電体SrTiO_3薄膜容量素子のGaAs-ICプロセスへの適用
- C-2-107 非可逆移相右手/左手系複合伝送線路からの漏洩波放射における終端反射の影響(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-106 棒状フェライトを用いた非可逆移相右手/左手系複合伝送線路(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-63 誘電体共振器からなる複合右手/左手系構造を用いたゼロ次共振器とその放射特性(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-69 スプリットリング共振器を用いたフェライト基板マイクロストリップ線路における非可逆特性(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- 高速リングオシレータ動作におけるMOSEFTのホットキャリア劣化