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東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 | 論文
- 電圧制御手法を導入した低消費電力MPEG4圧縮伸長LSI
- CMOSデバイスにおける酸化膜欠陥のインプロセススクリーニング技術の検討
- A 160mW, 80nA Standby, MPEG-4 Audiovisual LSI with 16Mb Embedded DRAM and a 5GOPS Adaptive Post Filter(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
- 6)ドライバ内蔵5340画素/3648画素CCDリニアイメージセンサ(情報入力研究会)
- ドライバ内蔵5340画素/3648画素CCDリニアイーメジセンサ
- SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
- ESRを用いた層間膜中水分によるMOSFET特性劣化メカニズム検討
- ED2000-121 / SDM2000-103 / ICD2000-57 16Mbit DRAM混載MPEG-4テレビ電話LSI
- 99mm^2,10MB/secを実現する56nm 8Gb多値NANDフラッシュメモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
- SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
- ED2000-121 / SDM2000-103 / ICD2000-57 16Mbit DRAM混載MPEG-4テレビ電話LSI
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- 可変電源電圧供給方式と2電源化方式を組み合わせた低電力技術におけるトップダウン設計手法
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- 電圧制御手法を導入した低消費電力MPEG4圧縮伸長LSI
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- 可変電源電圧(VS)方式による300MIPS/W VTCMOS RISCプロセッサ
- 可変電源電圧(VS)方式による300MIPS/W VTCMOS RISCプロセッサ
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- A 0.9V 150MHz 10mW 4mm^2 2-D Discrete Cosine Transform Core Processor with Variable Threshold-Voltage (VT) Scheme