ESRを用いた層間膜中水分によるMOSFET特性劣化メカニズム検討

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概要

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水を多く含んでいる層間膜(SiO2膜)をMOSFETの上に堆積するとMOSFETのホットキャリア特性が劣化した。この原因として、熱処理の時に層間膜から水が放出されるというメカニズムが考えられている。このメカニズム検証のため、ESRにより可動水を測定した。undoped-poly中にあるシリコンダングリングボンドの変化をESRで測定し、熱処理中に層間膜から下地へ向かい水が拡散してきていく事が解明できた。また、層間膜から下地への水の拡散は、polySiの上に、SiN層を入れることにより、およびインプラのダメージ入れたCVD層間膜により阻止される事が分かった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-05-21

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