電位測定およびD-OBICによるAI配線ショート箇所検出手法検討-配線TEGのショート箇所特定化

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概要

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Al配線の形成歩留を効率よく検出し、改善措置を施すためにAI配線工程モニターTEG(Test Element Group)が利用されている。この故障解析を行う場合、オープン不良箇所はSEMを利用したSVC法(Surface Voltage Contrast Method)などを用いることにより容易に特定化が可能である。しかしショート不良については方法が確立されておらず特定化が困難である。本報告はショート位置の電位を測定することにより間接的にショート箇所を推定する方法およびAI配線にレーザを照射したときの抵抗変化を利用したD-OBIC(Digital Optical Beam Induced Current)により直接的にショート位置までの配線パターンを観察する方法を検討したものである。これらの方法を実際のAl配線工程モニターTEGの故障解析に適用し従来の方法では不可能であった特定化が可能となった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-05-20

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