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東理大・理・応物 | 論文
- 17aTE-3 アンダードープBi_2Sr_La_xCuO_単結晶のトンネル分光
- 28pPSA-20 Bi_2Sr_La_xCuO_単結晶のトンネル伝導度のdoping依存性 : 酸素量及びLa含有量の効果
- 24pSG-8 トンネル分光法によるBi_2Sr_La_xCuO_の超伝導ギャップのdoping依存性
- 23aPS-20 Bi_2Sr_La_xCuO_の単結晶育成及びその輸送特性
- 酸素量を制御されたBi_2Sr_La_xCuO_の単結晶育成 : バルク成長VI
- 24aPS-47 Bi2201のトンネル分光
- La-doped Bi22010の単結晶育成とその評価
- Bi2212のトンネル分光法によるフォノン構造の再現性II
- 23aB12 シリコンカーバイドCVD過程における2サイト競合吸着モデル(エピタキシャル成長II)
- 26a-P-5 モノメチルシランを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイド膜の生成機構
- 熱重量天秤を用いたシリコンカーバイドCVD過程の成長モデルII : 気相成長III
- MTSを用いたCVD法によるSiC薄膜の配向性 : 気相成長III
- モノメチルシランを用いたRFプラズマCVD法によるシリコンカーバイドの成膜 : 気相成長III
- 30p-YE-2 RFプラズマCVD法によるMTSからのシリコンカーバイド膜生成過程の発光分光
- MTS(CH_3SiCl_3)を用いたシリコンカーバイドのRFプラズマCVD過程の発光分光
- 30a-Y-2 C_3H_6の二量化とボンド切断
- 2p-D-4 伝導電子と化学反応
- 2p-RJ-13 Na_xWO_3のM-I転移と化学反応
- 11p-A-1 金属・絶縁体転移と化学反応
- 7p-F-2 第一原理計算による水素結合の同位体効果の研究