スポンサーリンク
東理大・理・応物 | 論文
- 4a-C-1 ロッシェル塩の強誘電分域による光回折
- 6a-AA-5 TGS結晶に於ける運動中の分域壁と転位の相互作用
- 8a-K-2 TGS系のドメインの形状(II)
- 8a-K-1 TGS系のドメインの形状(I)
- 3a-P-5 TGS系強誘電体の分域壁の方位(I)
- 5a-KB-10 GASHの抗電場
- 22p-P-4 LiIO_3単結晶の育成と誘導特性
- プラズマCVD法によるa-SiC薄膜の赤外分光II : 気相成長
- 23aPS-36 ドープ量を制御されたBi_2Sr_La_xCuO_の単結晶育成及びトンネル分光
- 24pZ-2 シリコンカーバイドのプラズマCVD過程における発光の空間分布と生成機構
- 23pB2 RFプラズマCVD法によるa-SiCの成膜及び赤外分光法による評価(気相成長V)
- 23pB1 単一ソースRFプラズマCVD法によるa-SiC薄膜の生成機構(気相成長V)
- 23pA1 FZ法によるLa-doped Bi2201単結晶の育成(バルク成長V)
- NH_4IO_3単結晶の育成及びその主な物理的性質
- 単一ソース(MTS)による3C-SiCのCVD成長 : 無機結晶II
- 27aC1 シリコンカーバイド熱CVD過程の温度変化(気相成長I)