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東工大フロンティア研 | 論文
- ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 25pHD-9 低温におけるSiナノワイヤーの発光特性(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- AR-XPSによる種々の表面処理したIn_Ga_As表面の化学結合状態の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- コンダクタンス法を用いたHfO_2/In_Ga_Asの界面解析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 1.シリコンナノワイヤFET技術(ナノデバイス)
- ゲートスタック技術 (特集 ゲートスタック技術の表面・界面科学)
- シリコンナノワイヤFET技術
- 24aCL-9 Bi_2SiO_5強誘電体の構造相転移による機能構造変化(24aCL 誘電体(酸化物,ペロヴスカイト,光散乱),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ゲートスタック技術
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