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東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設 | 論文
- C-8-16 SFQ を用いたストカスティックニューロンシステムの設計
- C-8-7 単一磁束量子によるアレー乗算器の設計と構成
- C-8-4 高速フーリエ変換システムを実現する単一磁束量子加減乗算回路の設計
- C-8-6 磁束量子高速乗算回路
- 位相モード回路による乗算回路の設計
- 単一磁束量子を用いた高速加算・乗算回路の設計
- 広い動作パラメータ領域とバイアスマージンをもつ位相モードINHIBITゲート
- ジョセフソン接合の等価インダクタンスを利用した論理デバイスの特性
- Low-Frequency Noise in Si_Ge_x p-Channel Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors : Semiconductors
- Si_Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_Ge_x/Siヘテロ構造品質との対応
- Si_Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_Ge_x/ヘテロ構造品質との対応
- バッファードフッ酸によるエピタキシャルSi_Ge_xC_y膜のエッチング特性
- Si_Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_Ge_x/ヘテロ構造品質との対応
- バッファードフッ酸によるエピタキシャルSi_Ge_XC_y膜のエッチング特性
- Siの原子層プラズマ窒化におけるラジカルとイオンの寄与
- WF_6-SiH_4系によるSi表面でのW低温選択成長の初期過程
- Siの原子層プラズマ窒化におけるラジカルとイオンの寄与
- WF_6-SiH_4系によるWの低温選択成長初期過程
- ECRプラズマによるSi-Ge系の原子層エッチング
- Wの低温選択成長とその初期過程