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東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設 | 論文
- MnドープIII-V化合物半導体の物性
- 半導体スピンエレクトロニクス
- III-V族強磁性半導体ヘテロ構造(特別ワークショップ : スピンエレクトロニクスとその応用)
- 高速計算を目指したID離散時間モデル
- 動的解表現を用いたInverse function Delayedモデルの組み合わせ最適化問題への適用
- D-2-4 ストカスティックロジックニューロンを用いた画像復元への応用(D-2. ニューロコンピューティング)
- Inverse Delayed モデルを用いたニューロチップの設計
- ストカスティックニューロシステムにおける非線形ダイナミクス
- LPCVD法によるSi_Ge_xエピタキシャル成長におけるPおよびBドーピング
- バッファードフッ酸によるエピタキシャルSi_Ge_xC_y膜のエッチング特性
- A-2-28 ストカスティックロジックによるリミットサイクル間の遷移に関する研究
- D-2-10 非単調ニューロンを用いた大規模ストカスティックニューロシステム
- ディジタルストカスティック非単調ニューロチップ
- D-2-1 非単調ニューロンを用いたディジタルストカスティックニューロチップの実現
- ストカスティックニューロシステムの集積化
- Martensitic Transformation in La_Sr_xCoO_3
- Single-Crystal Growth of Perovskite-Type La_Sr_xMO_3 (M=Fe, Co) Solid Solutions
- Single Crystal Growth of La_Sr_xCoO_4 (x=0.0, 0.5, 1.0 and 1.5)
- 直接接地型位相モード論理回路
- Inverse Delayedモデルの性質