III-V族強磁性半導体ヘテロ構造(特別ワークショップ : スピンエレクトロニクスとその応用)

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概要

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• 正孔誘起の強磁性を示すIII-V族磁性半導体(Ga,Mn)As、(In,Mn)Asの諸性質を概観する。また、(Ga,Mn)As/GaAs/(Ga,Mn)Asニ層構造における低温アニール効果とトンネル磁気抵抗効果に関する最近の結果を紹介する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-03-10

著者

• 松倉 文礼

  東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設

• 松倉 文★

  東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能実験施設

• 松倉 文★

  東北大学電気通信研究所・超高密度高速知能システム実験施設

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