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東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻 | 論文
- Ti-Mo-N反応性スパッタ薄膜の硬さに及ぼす熱処理の効果
- 世界の先端を行くテラヘルツ波光源と分光応用
- GaP導波路構造におけるテラヘルツ波発生の高効率化および偏光制御(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 半導体レーザー励起CWテラヘルツ波発生(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- GaP導波路構造によるテラヘルツ波発生の高効率化(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- サブテラヘルツ・タンネット発振器と木材・コンクリート欠陥探傷への応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-14-19 半導体レーザ励起によるCWテラヘルツ波信号の発生(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- C-14-18 THz帯GaPフォトニック結晶の作製と特性評価(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- 01pB04 分子層エピタキシ法によるGaAs/GaAsSb/GaAs構造作製と評価(半導体エピ(3),第36回結晶成長国内会議)
- 01pB03 フォトキャパシタンス法によるInP ELO層中の転位起源ディープレベル解析(半導体エピ(3),第36回結晶成長国内会議)
- 01aA01 温度差液相成長法によるGaSeバルク結晶成長と近赤外及びTHz帯特性(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
- 3P139 テラヘルツ波を利用した液体試料の広帯域低振動スペクトル測定(水・水和/電解質))
- 17aB03 液相成長法によるSi(100)基板上のInp選択エピタキシャル成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- 17aB04 InGaPN液相エピタキシャル成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- 17aB05 InP基板上へのInMnP液相エピタキシャル成長(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- 25aA08 テラヘルツ波差周波発生におけるGaSe結晶中キャリアの影響(バルク,第34回結晶成長国内会議)
- GaPコヒーレントテラヘルツ偏光分光測定によるポリエチレンの変形・劣化測定
- 高加工性Cu-Al-Mn基形状記憶合金の開発
- Coフェライト複合ナノ粒子の作製
- 実不働態皮膜から人工不働態皮膜へ, そして再び実不働態皮膜へ
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