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東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター | 論文
- 誘電体クラッド半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 強磁場印加による(110)pMOSFETサブバンド構造の直接的観測(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 24aWQ-2 Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure
- 24aWQ-3 PdショットキーゲートによるSi/SiGe量子ドットの作製とその評価(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 23aXL-9 縦型二重量子ドットにおけるスピン一重項-三重項のミキシング制御(23aXL 量子ドット(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pXB-7 2重量子ドットスピンブロッケード条件でのマイクロ波照射効果(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- C-4-29 細線状活性層を有する分布反射型レーザの直接変調特性(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 半絶縁性基板上GaInAsP/InP横注入薄膜コアレーザの室温連続動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 半導体薄膜BH-DFBレーザアレイに関する研究(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- 半導体薄膜BH-DFBレーザアレイに関する研究(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- ディジタルプロセスによる微結晶シリコンの作製と量子効果超集積デバイスへの応用
- Atomic Force Microscope Current-Imaging Study for Current Density through Nanocrystalline Silicon Dots Embedded in SiO_2
- Single Electron Memory Devices Based on Silicon Nanocrystals Fabricated by Very High Frequency Plasma Deposition
- ナノクリスタルシリコンによる単電子デバイス
- In Situ Optical Monitoring of Two-Dimensional Crystal Growth in Layer-by-Layer Chemical Vapor Deposition of YBa_2Cu_3O_x
- In Situ Monitoring of Optical Reflectance Oscillation in Layer-by-Layer Chemical Vapor Deposition of Oxide Superconductor Films
- Diagnostic Study of VHF Plasma and Deposition of Hydrogenated Amorphous Silicon Films
- Generation of Electron Cyclotron Resonance Plasma in the VHF Band
- Preparation Method and Optoelectrical Properties of a-Se/Cd_xSe_ Multilayer Films
- Design of Band Potential with a-Si_xGe_:H(F) Alloys
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