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東京大学電気系工学専攻 | 論文
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上 (集積回路)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上 (シリコン材料・デバイス)
- 伸張歪MQWを用いたMMI-BLDの偏波無依存フリップ・プロップ動作(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- MMI双安定レーザー型全光フリップ・フロップの偏波無依存化に向けた実験的検証
- MMI双安定レーザー型全光フリップ・フロップの偏波無依存化に向けた実験的検証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
- MMI双安定レーザー型全光フリップ・フロップの偏波無依存化に向けた実験的検証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,および一般)
- 分布ブラッグ反射鏡を用いた全光フリップ・フロップの波長可変特性
- B-12-4 フェーズアレイ型1×N半導体光スイッチのスケーラビリティ(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
- 気相拡散によって形成されたソース・ドレイン接合をもつ高性能GeO_2/Ge nMOSFET
- 0.5V動作DRAM用60pJ,立ち上がり時間3クロック,しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- C-12-4 データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(1)(メモリ技術,C-12.集積回路,一般セッション)
- 1.Siプラットホーム上の新材料チャネルCMOS(エレクトロニクスの多様化を支える新デバイス技術-2020年を見据えて-)
- CT-2-2 Si基板上III-V MOSトランジスタ(CT-2.ポストCMOSデバイス技術?-III-V MOS,ナノワイヤデバイス,グラフェンデバイス-,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- 作製後の電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタ及びしきい値電圧ばらつき自己修復機能を有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し安定性の向上(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- SSD向けエラー訂正手法の比較と符号長の動的最適化手法 (集積回路)
- エンタープライズSSD向け低消費電力・高信頼性強誘電体NANDフラッシュメモリ (集積回路)
- 電子局所注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクト問題の除去 (集積回路)
- 0.5V動作DRAM用60pJ,立ち上がり時間3クロック,しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 日本発の技術を国際標準へ : 100万ボルト送電の例
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