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早稲田大学ナノ理工学研究機構 | 論文
- Systematic studies on Fermi level pining of Hf-based high-k gate stacks
- Guiding Principle of Energy Level Controllability of Silicon Dangling Bond in HfSiON
- Wide Controllability of Flatband Voltage in La_2O_3 Gate Stack Structures : Remarkable Advantages of La_2O_3 over HfO_2
- Structural advantages of rectangular-like channel cross-section on electrical characteristics of silicon nanowire field-effect transistors
- Extraction of additional interfacial states of silicon nanowire field-effect transistors
- Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面 (シリコン材料・デバイス)
- ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 25pHD-9 低温におけるSiナノワイヤーの発光特性(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 新生仔ラット心筋細胞シートにおける内皮細胞の動態イメージング
- Effects of corner angle of trapezoidal and triangular channel cross-sections on electrical performance of silicon nanowire field-effect transistors with semi gate-around structure
- 22aTM-8 シリコンナノレイヤー中電子正孔液滴発光の膜厚依存性(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Electrical characteristics of asymmetrical silicon nanowire field-effect transistors
- 非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 : EMC-MDシミュレーションによる検討 (シリコン材料・デバイス)
- 非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 : EMC-MDシミュレーションによる検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- Auイオン照射によるSi表面改質素過程のリアルタイムSTM観察
- Contact Angle Measurement for Oil–Mineral–Water System on a Micro Scale
- 立体構造シリコン中の熱輸送に関する分子動力学シミュレーション (シリコン材料・デバイス)
- 三次元LSIに向けたはんだと接着剤のハイブリッド接合技術と表面処理技術(高密度実装を牽引する材料技術とヘテロインテグレーション論文)
- 非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 : EMC-MDシミュレーションによる検討