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日電アネルバ | 論文
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- 高周波放電電極上の自己バイアス電位分布の研究
- 27a-SB-2 同軸円筒型グロー放電装置により作成したa-Si : Hの物性 II
- 30a-B-8 同軸円筒型GD装置により作成したa-Si:Hの物性
- 高密度プラズマを用いた化学蒸着(CVD)法によるチタン系薄膜の作製と評価
- CVD-Al薄膜の成長過程とその下地依存性 : 堆積膜表面からの反射光強度のモニタ
- 低圧および低温のMO-CVD法によるTiN薄膜の作製
- ハイテクを支える真空技術と真空化学(話題を探る)
- マグネトロン・スパッタ・ターゲットの***ージョン・レート分布の数値シミュレーション
- マルチターゲットスパッタ法による Pb(Zr,Ti)O_3 強誘電体薄膜の作製とその評価
- メタルCVD装置における液体流量制御の使用事例 (特集:デジタル精密マスフロ-コントロ-ラ)
- 5a-C-12 V_3Siの超音波吸収
- 半導体産業と真空(産業の中の真空) (わが国における真空の科学と技術の歩み(30巻記念特集号)) -- (わが国の真空科学・技術の歴史的発展をたどる)
- 12a-D-10 単結晶V_3Si.Nb_3Snのストレスーストレイン曲線
- 30a-Q-9 一軸性圧力下でのV_3Siの構造相転移と超伝導
- 31a-BC-9 V_3Siの熱膨脹及び混合状態における磁歪
- 12a-S-7 V_3Siの熱膨脹
- 7a-G-15 V_3Siの超伝導状態における超音波異常 II
- レーザーマイクロプローブ質量分析法の構造解析への応用
- 帯状1ループアンテナプラズマ源のプラズマ特性