スポンサーリンク
日立製作所・中央研究所 | 論文
- DRAMにおけるVRT(Variable Retention Time)の起源 : 接合リーク電流の2値変動(新メモリ技術とシステムLSI)
- 364 Fast SE型2周波励起振幅変調バースト法の開発
- [パネルディスカッション]音声認識技術がキャズムを越えるには?
- 面内磁気記録媒体の熱揺らぎに関する実験的検討
- SiGe固相成長による原子層レベル急峻ヘテロ界面の形成
- SC-9-3 Siヘテロ超構造技術とデバイス応用 : 現状と展望
- Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- CMOS回路の低電圧化はどうすすめるべきか(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- CMOS回路の低電圧化はどうすすめるべきか(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 温度変化によるLSI性能ばらつきを低減するTISロック回路(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 微小トンネル接合のネットワークにおけるKosterlitz-Thouless転移
- 動きベクトルを用いた境界検出イメージング
- 実世界に存在する音声・音響を対象とした認識技術
- 3次元電子顕微鏡用電子線検出器と試料ステージ
- MOCVDによる細線成長
- C-12-23 アンブレラセル : 高集積性・低電圧動作を同時に実現する SOC 向けオンチップメモリセル
- アンブレラセル : SOC向け高集積オンチップメモリセル(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- アンブレラセル : SOC向け高集積オンチップメモリセル(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
スポンサーリンク