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日立製作所・中央研究所 | 論文
- a-siGe薄膜の低温結晶化機構の電子顕微鏡的研究(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 室温における垂直磁化膜の磁化反転機構
- パルス変調CWレーザ結晶化(SELAX)法による高移動度低温ポリSi-TFT(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- SiO_2基板上の非晶質Si/Ge積層構造におけるGe拡散と結晶化過程
- インバータ速度制御、低Vthバラツキを可能にする薄膜BOX-SOIデュアル・バックバイアス制御技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 12)a-Si TFT/LCDの表示動作のモデル化と設計(画像表示研究会)
- 電界ストレスによるlow-k膜の比誘電率上昇(TDDI)
- 定常/過渡電流分離法を用いたMOSキャパシタ劣化機構解明
- 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F^2ツインセルDRAMアレー(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- D2G-SOIトランジスタを用いた低電力SoC向けSRAMセル(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 1)高感度版カラーラインセンサ(情報入力研究会)
- 3-3 1/3形TSL固体撮像素子
- 4-7 1/2インチ TSL型固体撮像素子
- 6)可変電子シャッタ付TSL撮像素子([テレビジョン方式・回路研究会テレビジョン電子装置研究会]合同)
- 3-8 TSL固体撮像素子
- 5)水平移送方式固体撮像素子(テレビジョン電子装置研究会(第136回))
- 水平移送方式固体撮像素子
- 3-10 単板カラーMOS撮像素子の耐熱・耐光特性
- 3)水平転送MOS型カメラのカラー化方式の検討([テレビジョン方式・回路研究会(第109回)テレビジョン電子装置研究会(第140回)]合同)