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日立製作所デバイス開発センタ | 論文
- 半導体技術のイノベーション--More MooreとBeyond CMOSの融合 (特集 「ポスト・ムーアの法則」時代におけるエレクトロニクス産業)
- 1B-2 発光解析を用いたVLSIファンクション不良解析技術
- 肝不全を伴う特殊病態への生体肝移植の応用
- 肝臓の除神経は肝再生を促進する
- 内照射による肝癌特異的な自殺遺伝子治療のストラテジー
- 大腸癌肝転移に対する初回治療としての肝切除選択
- 肝細胞癌の外科的治療--C型肝炎合併例を中心に (21世紀の外科的癌治療指針(4)肝癌治療)
- サブ100nm時代のLSI低消費電力化技術 : これで優位化、これはできて当たり前
- サブ100nm時代のLSI低消費電力化技術 : これで優位化、これはできて当たり前 : パネルディスカッション
- SY-2-4 肝細胞癌に対する肝移植適応 : ミラノ基準の意味するものは何か? : 摘出肝の全割病理検索(再び,消化器外科医と病理医との対話-病理医より学ぶ-,シンポジウム2,第61回日本消化器外科学会定期学術総会)
- 140mm^2 0.4μm 64Mb AND型フラッシュメモリ
- SY-2-6 肝の冷保存・再灌流障害に対する新しい治療概念 : 冬眠誘導の応用と肝細胞側からみた細胞死の分子機構
- 35.8GB/sの内部メモリバンド幅をもつ16MBキャッシュDRAM LSI
- 600Mb/s同時双方向I/O回路を内蔵したCMOSゲートアレイ
- FasL及びRCAS1を介した大腸癌浸潤リンパ球のアポトーシスは悪性度診断の指標となるか?
- CMOS ASIC用書き込み優先型2ポートRAMの高速・低消費電力化回路
- 低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー銅CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)
- ED2000-47 / SDM2000-47 低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー鋼CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリおよび一般)
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリ及び一般)