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日本電気(株)基礎研究所 | 論文
- GaN基板結晶成長技術の最近の進展(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- ZrO_2/SiO_2/Si界面制御とゲート絶縁膜への応用
- イオン注入後の熱処理による転位ループ成長とボロン再分布の検討
- 高機能セラミック・デバイス
- バブル景気の崩壊で考えること
- 28p-APS-75 Tl_2Ba_2CuO_の圧力誘起構造変化
- シリコン融液におけるマランゴ二対流の不安定性と雰囲気酸素分圧効果(微小重力環境を利用した結晶成長)
- B312 溶融半導体シリコンにおけるマランゴ二対流の不安定性
- F206 CZ-Siメルト表面のスポークパターン形成における表面張力起因対流の役割(オーガナイズドセッション17 : 材料およびデバイス製造の熱工学)
- CZ-Siメルト表面のネットワークパターン形成における表面張力起因対流の役割
- シリコン融液のマランゴニ対流:微小重力実験と結晶成長
- 振動マランゴニ対流に起因するシリコン液柱固液界面振動の2方向観察
- シリコン液柱における振動マランゴニ流の非接触温度測定
- シリコン融液のマランゴニ対流に及ぼす雰囲気酸素分圧の効果
- マランゴニ温度振動に起因する固液界面振動の観察 : バルク成長III
- シリコンメルト表面におけるベナールセルの観測
- 航空機による微小重力環境を利用したSiメルト液柱におけるマランゴニ対流に及ぼす雰囲気酸素の効果
- 24aB2 浅いシリコンメルト表面における温度変動(バルク成長VII)
- シリコンメルト表面の非接触温度測定
- シリコン単結晶育成時の融液のマランゴニ対流