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日本電気(株)基礎研究所 | 論文
- 30p-PSA-18 Tl_2Ba_2CuO_における高ドープ金属
- 27a-PS-53 Tl_2Ba_2CuO_6における正方晶と斜方晶構造
- 27a-PS-52 Tl系超伝導体における逆ホール移動度のT^2依存性
- シリコン融液表面におけるマランゴニ対流の光学的観察
- 位相シフト干渉法を用いたシリコン融液表面におけるマランゴニ振動の観察
- 28p-YB-2 冷却中性原子ホログラフィー
- 24aPS-7 スピントンネル接合における絶縁薄膜の第一原理計算
- III-V族化合物半導体気相成長プロセスの解明 - 実験とシミュレーション -
- ALE成長とデバイス
- カーボンナノチューブトランジスタ
- 1G1030 糖質及び関連分子における計算結果の力場依存性
- 電子線励起表面反応による3次元ナノ構造形成
- 電子ビーム励起表面反応を用いたナノメータエッチング
- 塩素吸着Si(111)7×7でのSTMによる原子サイズの表面構造形成
- STMによる極微細加工技術
- ナノストレージ技術とめっき : Co-Fe-Niの大きな磁気モーメント
- P-22 ZnO/SiO_2/Siダイアフラム・バルク波複合共振子(ポスター・セッション)
- 3-2 携帯機器用燃料電池 : 現在の10倍の駆動時間を達成する夢の電池実現に向けて(3.エネルギーを効率良く取り出す,環境を守る)
- (5) シリコン融液表面上のマランゴニ対流に及ぼす雰囲気酸素分圧の効果(主題 : ベースメタルの製錬・凝固における表面・界面現象)(平成 12 年度ベースメタル研究ステーションシンポジウム)(素材工学研究会記事)
- GaN基板結晶成長技術の最近の進展(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)