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日本電気(株)基礎研究所 | 論文
- 「21世紀を担うバルク単結晶」特集にあたって
- 電磁浮遊を用いた過冷却温度領域を含むシリコン融液の密度測定
- 30nmゲート長EJ-MOSFETの作製
- 27p-C-3 AlGaAsにおけるDXセンター
- 単一磁束量子(SFQ)集積回路の開発と応用
- 単一磁束量子素子(SFQ)を用いた大規模デジタルシステムの動向
- 計算物理と新素材(新素材とシミュレーション)
- 2C27 Pb(Mg_W_)O_3-Pb(Ni_Nb_)O_3-PbTiO_3 系セラミックスの結晶構造、誘電特性および圧電特性 (II)
- 2C26 Pb(Mg_W_)O_3-Pb(Ni_Nb_)O_3-PbTiO_3 系セラミックスの結晶構造、誘電特性、および圧電特性 (I)
- AAAI-93報告
- AAAI-93報告
- 量子チャネルの評価技術
- B-7 2重整合層型超音波探触子の一設計法(超音波の発生・検出II)
- 宇宙に生きる
- 原子線ホログラフィー
- Pb(Mg_W_)O_3Pb-(Ni_Nb_)O_3-PbTiO_3系低温焼結強誘電体材料の調製 : 合成・キャラクタリーゼーション
- LEC GaAs結晶中の局所歪み : II. LEC GaAgにおける偏析現象
- 2p-N-5 PF水平多軸精密ディフラクトメータ
- 1次元細線における単一電子トラップ
- 1次元細線における単一電子トラップ