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日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所 | 論文
- タイミングマージンテスト機能を有する1GHz-2GHz 4相クロック発生器 (情報センシング)
- 64Mb高速DRAMマクロの開発
- C-12-75 高速64Mb DRAMマクロの開発(3) : アレイ部の高速化技術
- C-12-74 高速64Mb DRAMマクロの開発(2) : 制御回路部の高速化
- C-12-73 高速64MbDRAMマクロの開発(1) : チップ構成及び性能ついて
- 10Gb/s/ch 50mW 120×130μm^2クロックリカバリ回路(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
- [招待講演]ナノリソグラフィー技術のデバイス応用
- 微細MOSFET中のキャリア伝導
- 1次元細線における単一電子トラップ
- 1次元細線における単一電子トラップ
- 4F123 リバースモード液晶 : 高分子複合膜
- 4F122 エポキシ樹脂を用いた液晶 : 高分子複合膜の電気光学特性
- LSIパッケージ用らせん配線型応力緩和構造 (MEMS 2006 第16回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集)
- 次世代LSIパッケージ用チップ及びパッケージレベルのシームレスインターコネクト技術
- 半ピッチシフト方式とビット線分離型2T1MTJセルを用いた混載向け250MHz、1Mb-MRAMマクロ(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- 相補型原子スイッチを用いた不揮発プログラマブルセルとその回路マッピング実証(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
- 原子移動型スイッチを使ったスマート配線技術と低電力再構成回路への応用(配線・実装技術と関連材料技術)
- 相補型原子スイッチを用いたプログラマブルロジックでのRTL記述からの回路マッピング(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)