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日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所 | 論文
- 28aYA-3 超伝導磁束量子状態を用いた量子ビット(領域4シンポジウム : 固体素子における量子情報操作の可能性)(領域4)
- 27pYG-15 巨視的重ね合わせ状態間の多光子吸収過程(微小金属/超伝導体/ジョセフソン結合)(領域4)
- 21aTL-1 超伝導磁束量子ビットの読み出しの温度依存性
- 28aYH-6 超伝導磁束量子ビットのスペクトロスコピー
- 超伝導の磁束状態を用いた量子ビットの状態測定
- 17pTB-1 3つのジョセフソン接合を用いた超伝導磁束量子ビットにおけるエンタングルメント状態実現方法
- 自己組織化によるSiナノ構造のウェ-ハスケ-ル制御
- 23aWQ-3 JBA測定による被測定量子ビットのエネルギー変化とそれを利用した量子フィードバックの提案(23aWQ 微小接合,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 26pYT-11 2磁束ビット系における磁束のみの制御でBerry位相を検出する断熱過程(微小超伝導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 27pYG-14 2つの磁束量子ビットにおけるエンタングルした状態のデコヒーレンス(微小金属/超伝導体/ジョセフソン結合)(領域4)
- 24pZH-2 (Cu_Ni_x)Ir_2S_4のNMR
- 極薄SIMOX-Si層エッジからのSiO_2障壁を介した電子トンネル
- SC-7-10 GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性とFET特性
- GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性
- ファセット成長による半導体形状制御の研究 (特集論文 ファセットレ-ザ)
- 19aYH-3 DC-SQUIDにおけるリトラッピング電流の磁場依存性
- 24pWQ-8 GaAs横型2重量子ドットにおける基底状態遷移に伴う動的核スピン偏極(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 超伝導の量子ビットとその測定過程 : 実験に基づく理論(第48回物性若手夏の学校(2003年度),講義ノート)
- 窒化アルミニウム系LEDの研究開発 (マテリアルフォーカス:オプトロニクス より明るく,より低消費電力に駆動させることに貢献する 薄型化,放熱対策など--LEDおよびLEDバックライトユニットの周辺部材の技術トレンド)
- 科学解説 窒化アルミニウム遠紫外発光ダイオード