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日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所 | 論文
- 19pYL-4 バリスティックInGaAs-based超伝導弱結合における多重Andreev反射による巨大熱雑音の観測(超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 29pYF-9 半導体・磁性体ハイブリッド構造による微小磁性体リングの磁化特性評価(半導体スピン物性)(領域4)
- ステップフローMOVPE成長による量子細線
- 28aYH-10 微小ジョセフソン接合 SQUID による磁束量子ビット測定における電流値の揺らぎに関する考察
- 29pTB-3 超伝導磁束量子干渉計(SQUID)における共鳴現象
- 水素終端ダイヤモンドFETのゲート金属界面
- ダイヤモンド高周波デバイスの現状と課題
- C-10-10 高品質多結晶ダイヤモンドFETの作製と特性評価(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 半導体量子ドットにおける近藤効果
- 25p-YG-1 半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果
- 25p-YG-1 半導体2重量子ドットにおける結合エネルギーの磁場効果
- 19pRC-10 超伝導体/カーボンナノチューブ・ネットワーク系の輸送特性(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 30aXC-5 ジョセフソン非調和振動子による超伝導量子ビット読み出しの量子古典対応とデコヒーレンス(30aXC 微小ジョセフソン接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- NdBa_2Cu_3O_7薄膜を用いた超伝導フィルタの第3次歪み特性
- 27pXD-3 超伝導量子ビット集団による共振器プラズモンの超放射の検討II(微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pWJ-13 超伝導量子ビット集団による共振器プラズモンの超放射の検討(量子ドット,微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19pXG-1 デコヒーレンスのある量子共振器を媒介とした超伝導量子ビットエンタングルメント(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 30pXG-7 SQUIDのプラズマ振動数測定による磁束量子ビットの読み出しメカニズム(量子エレクトロニクス(量子コンピューター))(領域1)
- 28aZK-10 InAs 層挿入 InGaAs チャネルにおける g-因子のゲート電圧依存性
- 超低消費パワーで集積可能な光ビットメモリ--フォトニック結晶をプラットフォームとする光集積技術
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