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日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所 | 論文
- Npn型AlGaN/InGaN/GaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い降伏電界
- P-GaN/n-AlGaNヘテロ接合ダイオードの容量-電圧特性による分極電荷密度の評価
- 歪InGaN接触層を用いたp-GaNへの低抵抗オーミック接触の形成(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 歪InGaN接触層を用いたp-GaNへの低抵抗オーミック接触の形成(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 高濃度Siドープ窒化アルミニウムからの高いフィールドエミッション電流密度
- Al_Si_xN固溶体形成とフィールドエミッション
- GaN系半導体を用いた光・電子デバイス
- 窒化物ワイドギャップ半導体結晶成長 (特集論文1 窒化物ワイドギャップ半導体電子デバイス)
- GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性
- 表面光吸収法を用いたステップフリー表面・界面の形成
- STMリソグラフィーによるナノスケールGaAs選択成長
- ダブルゲートMOSFETにおける谷と空間的サブバンドの制御 : シリコン量子井戸の電子状態(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- ダブルゲートMOSFETにおける谷と空間的サブバンドの制御 : シリコン量子井戸の電子状態(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- シリコンナノ構造でのパターン依存酸化現象の観察
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- 酸化誘起歪みと量子サイズ効果に起因するSi SET動作機構の伝導方向依存性
- パターン依存酸化(PADOX)法を用いて製作したSi SETにおけるポテンシャルプロファイル形成機構
- 半導体量子ドット中の励起子のコヒーレント光制御
- 26pYT-10 超伝導磁束量子ビットにおける多光子ラビ振動の観測(微小超伝導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))