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日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所 | 論文
- InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
- Photoreflectance法によるInAlAs/InGaAs量子井戸およびHEMT構造の評価
- CBE成長および熱処理GaAs表面のSTM観察
- B-8-9 高感度10Gbit/s APDバースト光受信器に関する検討(B-8.通信方式,一般講演)
- 1G/10G-EPON用バースト対応トランスインピーダンスアンプ--高速・高精度自動オフセット補償回路を用いて (光通信システム)
- B-10-49 光ファイバボビンの振動による高速偏波変動(B-10.光通信システムB(光通信),一般講演)
- 表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 有機ホウ素化合物の二光子吸収特性を利用した積層導波路型光メモリ(光記録技術,一般)
- 1×4 InGaAsP/InP多モード干渉導波路型光スイッチの動的スイッチング特性(フォトニックネットワーク・システム,光制御(波長変換・スイッチング・ルーチング),光ノード技術,WDM技術,マルチレイヤ・クロスレイヤ,次世代トランスポート(高速Ethernet,ASON/OTN),一般)
- VPNを含むLANにおいて多様なアプリケーションに対応可能な帯域管理技術(次世代ネットワークとマネジメントシステム技術の潮流及び一般)
- ネットワークとのシグナリング機能をもたないアプリケーションの通信品質を保証するためのイーサネットの帯域管理技術(設備管理, ネットワーク管理, 及び一般)
- C-4-25 UTC-PDと半導体MZ変調器を集積したPD-MZ光ゲート素子の提案と高速光ゲート動作の実現(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(変調器・受光器), エレクトロニクス1)
- 有機ホウ素ポリマーの二光子吸収型多層光メモリへの応用
- 120GHz帯10Gbti/s無線伝送用BPSK変復調MMIC(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 全C帯40Gbit/s DPSK変調動作SOA集積npinマッハツェンダ変調器(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- B-10-51 10.3Gbit/sバーストモードクロックデータ再生装置(B-10.光通信システムB(光通信),一般講演)
- シリアル-パラレル変換を用いた40Gbit/s光ラベル認識とセルフルーティング(超高速・大容量光伝送/処理及びデバイス技術,一般)
- 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-4-16 VOA内蔵10Gb/s-APD光受信器の特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- PLC集積型マイクロミラーアレイ作製技術とスタック型インラインモニタへの応用(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
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