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日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所 | 論文
- 耐環境性に優れた低損失ポリマー光導波路
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-10-20 サファイア基板上GaNのSAW特性(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- C-10-11 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサーのUWB応用(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- P2-17 GaN SAWデバイスにおけるサイドゲート効果(ポスターセッション2(概要講演))
- InP HFET高信頼化の検討(光デバイス・部品の信頼性)
- C-10-12 BCB層間膜配線とInP系HEMTを用いたSCFLスタティック分周器
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- BCB層間膜を用いた配線の高速伝播特性
- InAlAs/InGaAs/InP HEMTを用いたダイナミック分周器の遅延時間解析
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CS-6-2 アンチモン系材料によるHBT作製の課題(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- 高V/III比成長によるInP/InAlAsヘテロ界面急峻性の向上 : 気相成長II
- 共鳴トンネル3値量子化回路を用いた超高速アナログ・デジタル変換器
- 高分解能KTN光ビームスキャナの実現 (特集 KTN結晶とその応用技術)
- フォトニックMPLSルータ光スイッチ機能部の高密度・高信頼化技術(フォトニックネットワークシステム/制御,GMPLS,一般)
- フォトニックMPLSルータ光スイッチ機能部の高密度・高信頼化技術(フォトニックネットワークシステム/制御, GMPLS, 一般)
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