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日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所 | 論文
- C-3-101 16連タップ集積可変光減衰器(C-3. 光エレクトロニクス(VOA), エレクトロニクス1)
- C-4-1 Si導波路と化合物半導体MQW層を融合したレーザダイオードの提案(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- 遅延制御による偶数段リング構成ダイナミック1/4N分周器
- B-10-64 広帯域なチャネル抑圧比を有する波長選択フィルタによるチャネル内クロストークの抑圧(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- B-10-78 40Gbit/s NRZ-DQPSK信号のDGD耐力改善と50GHz間隔ROADMノード通過特性(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- ECOC2007報告 : 光アクティブデバイス関連(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 50-Gbit/sフィードスルー型メタルウォールMUX/DEMUX ICモジュール
- B-10-94 光映像配信システム用広帯域・低歪みROSAの検討(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
- C-12-65 並列型A/D変換器用比較器の回復時間に関する検討(C-12.集積回路,一般セッション)
- 43Gbit/s DQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 43Gbit/sDQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- BCS-2-5 光受信器用高速アナログIC技術(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-12-15 3bit 20Gsps A/D変換器モジュール(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-10-7 40G光伝送用電気分散補償(DFE)IC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-6 低群遅延偏差InP HBTフィードフォワード等化ICの一検討(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-3 +3.3V電源・12GHz帯域InP HBT 自動利得制御アンプIC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-1 80 Gbit/s InP HBT 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-4 InP HBTを用いた多相クロック構成50Gbit/s 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス)
- InP HEMTトランスインピーダンス増幅器を用いた超40Gbit/s光受信モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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