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日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所 | 論文
- シングルキャリア周波数領域等化技術による波長分散補償(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- シングルキャリア周波数領域等化技術による偏波モード分散補償(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- シングルキャリア周波数領域等化技術による波長分散補償(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- シングルキャリア周波数領域等化技術による偏波モード分散補償(OCS20周年記念,超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- B-10-73 ガードインターバルを用いない偏波多重コヒーレントOFDMによる50GHz ROADMノードを含む4.1Tb/s(50×88.8Gb/s)800km SMF伝送(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- B-10-37 シングルキャリア周波数領域等化技術による偏波モード分散の補償(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- B-10-36 高速光伝送におけるシングルキャリア周波数領域等化技術(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- C-3-61 石英系PLC-LNハイブリッド集積技術を用いた2サブキャリアOFDM変調器(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- Cyclic AWGを用いたモノリシック分散配置波長群選択スイッチ
- B-10-63 高周波数利用効率の帯域可変光パスネットワークの提案および実証実験(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
- 高耐圧InP HEMTによる125GHz,140mW出力ミリ波パワーアンプ : 120GHz帯広帯域無線の実用化へ向けて(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- C-10-15 歪系In_Al_P/In_Ga_As HEMTにおける短チャネル効果の抑制(C-10.電子デバイス)
- C-doped GaAsSb におけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
- InAlPをキャリア供給層に用いたHEMT構造の成長
- MOCVDを用いた歪み系In_Ga_As/AlAs RTDの高性能化
- C-10-3 超高速ディジタル回路用共鳴トンネルダイオード特性
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