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日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所 | 論文
- SIMSによるSi,GaAs中の不純物分析
- 極浅領域の深さ方向分析多層BNデルタドープ標準物質とそれによるスパッタ速度変化の評価
- 光周波数基準発生回路を用いた光素子の分散測定
- 光周波数基準発生回路を用いた光素子の分散測定
- 光周波数基準発生回路を用いた光素子の分散測定
- 光周波数基準発生回路を用いた光素子の分散測定
- Si基板上の単層カーボンナノチューブのSEM観察
- ECRプラズマ酸化によるナノパタン反転法とSi量子細線加工
- ECRプラズマ酸化によるナノパタン反転法とSi量子細線加工
- シリコン一次元鎖の固体表面への接続
- エンドグラフトポリシラン : 固体表面に化学結合した単一シリコン原子鎖の形成と物性
- イオン照射による化合物半導体表面の変質現象
- 二次イオン質量分析法による定量分析と標準化
- 二次イオン質量分析法の標準化
- C-14-6 光技術により発生した低コヒーレンス・テラヘルツ波の特性評価(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-5 光技術を用いたテラヘルツ無線における光源の検討(2) : キャリア・ノイズ比が及ぼす影響(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-4 光技術を用いたテラヘルツ無線における光源の検討(1) : 変調度が及ぼす影響(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- 高次高調波パルスによるGaAs表面起電力効果の時間分解計測
- C-14-6 ホモダイン検波法によるEOセンシングシステム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-7 1.55μm帯CW励起による低温成長GaAsを用いたマイクロ波のホモダイン受信(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)