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日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所 | 論文
- IN(Ga)As積層量子ドット構造におけるキャリア注入/放出特性のDLTS評価
- C-14-17 光技術による低コヒーレンス・テラヘルツ波を用いたトモグラフィ(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-18 1.5μm帯光励起による低温成長GaAs検出器を用いたCWテラヘルツ分光システム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-7 300GHz帯テラヘルツ波を用いた超20Gbps無線伝送(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- 100GHz帯アンテナ近傍界のEOセンシング(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
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- 1.5μm帯CW励起による低温成長GaAsを用いたテラヘルツ波のホモダイン計測(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.5μm帯CW励起による低温成長GaAsを用いたテラヘルツ波のホモダイン計測(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
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- 1.5μm帯CW励起による低温成長GaAsを用いたテラヘルツ波のホモダイン計測(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.5μm帯CW励起による低温成長GaAsを用いたテラヘルツ波のホモダイン計測(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.5μm帯CW励起による低温成長GaAsを用いたテラヘルツ波のホモダイン計測
- 100GHz帯アンテナ近傍界のEOセンシング(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
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- 100GHz帯アンテナ近傍界のEOセンシング
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- 1.5μm帯CW励起による低温成長GaAsを用いたテラヘルツ波のホモダイン計測
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