1.5μm帯CW励起による低温成長GaAsを用いたテラヘルツ波のホモダイン計測(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
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概要
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CWテラヘルツ波を用いた周波数領域分光法は、高いSN比と周波数分解能が得られるため、近年注目を集めている。これまでは、850nm励起の低温成長GaAsあるいは、1.5μm励起のInGaAsを光伝導ミキサとして用いたシステムが主流であった。1.5μm帯のテレコム部品が利用できればシステムをコンパクトかつ安価に構築できるが、InGaAsは低温成長GaAsと比べて抵抗率が4桁程度低く、検出・器としてのSN比に問題がある。本稿では、1.5μm励起の低温成長GaAs光伝導ミキサを検出器として用いたテラヘルツ波のホモダイン検出システムについて報告する。2台の1.5μm帯波長可変レーザを用いて単一走行キャリアフォトダイオードから発生されたテラヘルツ波(90-150GHz)は、30dB程度のSN比で検出された。
- 2012-01-19
著者
-
久々津 直哉
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
永妻 忠夫
大阪大学大学院 基礎工学研究科
-
味戸 克裕
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
久武 信太郎
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
ソン ホジン
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
-
永妻 忠夫
大阪大学大学院基礎工学研究科:日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
味戸 克裕
日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所
-
北原 元貴
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
ソン ホジン
日本電信電話株式会社nttマイクロインテグレーション研究所
-
北原 元貴
大阪大学大学院 基礎工学研究科
-
久々津 直哉
日本電信電話株式会社 マイクロシステムインテグレーション研究所
-
久武 信太郎
大阪大学大学院 基礎工学研究科
-
久々津 直哉
日本電信電話株式会社マイクロシステムインテグレーション研究所
-
久々津 直哉
日本電信電話株式会社
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