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日本電信電話株式会社 NTT物性科学基礎研究所 | 論文
- 28aTA-7 高温度領域におけるSi(111)微斜面上直流通電誘起ステップ束の成長過程
- 半導体
- Siナノデバイスにおける構造サイズ揺らぎの定量評価
- 私とJJAP : 期待すること, 私にできること
- 深紫外光源のための窒化物半導体の開発
- 選択成長マイクロファセットを用いたGaN系面発光型レーザー
- C-10-11 ダイヤモンドFETの高周波特性と等価回路解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 高温・高出力動作Pnp AlGaN/GaN HBTs(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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- C-10-11 ダイヤモンドMESFETの1GHz,2W/mm級電力動作(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- ナイトライド系結晶成長技術とヘテロ接合バイポーラトランジスタへの応用
- ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- 1 半導体光増幅器の先駆的研究
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- 3)半導体レーザー増幅器とその応用(光・フィルム技術研究会(第56回))
- 半導体レーザ増幅器とその応用
- 光直接増幅による中継伝送 (コヒ-レント光ファイバ伝送)
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