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日本ガイシ株式会社 | 論文
- 結晶成長 : 今まで20年,今から20年
- 高Cr-Fe合金プラズマ溶射粒子の偏平挙動とNAS電池用Al円筒容器内壁面への皮膜の密着性に及ぼす予熱温度の影響
- NAS電池用アルミニウム格納容器の内壁に施工した高Cr-Fe合金プラズマ溶射皮膜の貫通気孔の測定
- 電力貯蔵用ナトリウム : 硫黄電池の実用化
- AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- パルス大電力動作時の半導体パワーデバイス内キャリア密度分布に与える磁界の影響
- 電気二重層キャパシタ電力貯蔵装置のバンク直並列切替回路の検討
- 電気二重層キャパシタ電力貯蔵装置のバンク直並列切替回路の検討
- SIサイリスタを用いた高繰り返しパルスパワー電源の開発
- MOVPE法により成長した高品質AlNエピタキシャル膜(AlN結晶成長シンポジウム)
- AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- SC-6-3 MOCVD法を用いたエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価
- MOVPE法によるエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT構造の作製と特性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- MOVPE法によるエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT構造の作製と特性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
- MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
- AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
- MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
- AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
- MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)