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日本ガイシ株式会社 | 論文
- 三菱電機(株)稲沢製作所の見学記
- 超パルスCO_2レーザによるサファイア基板の割断方法
- 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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- 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 26aB02 凹凸AlNエピタキシャル基板を用いた高Alモル分率AlGaNの転位密度低減(窒化物(1),第34回結晶成長国内会議)
- C-3-70 低クロストークX型光スイッチの提案
- 416. 固定化リパーゼによるリシノール酸からのエストライド合成 2
- 415. 固定化リパーゼによるリシノール酸からのエストライド合成 1
- 553 セラミックス担体を用いたりバーゼによるリン脂質の加水分解反応
- 28pXQ-10 AlGaNおよびInAlGaN系における紫外発光(励起子ポラリトン・緩和励起子)(領域5)
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